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IGBT整流器維護標準
- 2021-01-14-

隨著電力通信(xin)行業的(de)不斷發展,IGBT整流(liu)器在(zai)縣級通信(xin)系統中的(de)應(ying)用越(yue)來(lai)越(yue)廣(guang)泛。但是,由(you)于IGBT整流(liu)器在(zai)我(wo)國的(de)應(ying)用時(shi)間不是很長(chang),沒有統一的(de)維護(hu)標準(zhun),而以下是根據我(wo)們(men)日常維護(hu)工作中的(de)總結出的(de)一些經驗,可供借(jie)鑒參考。


1、選擇可靠的(de)新(xin)型元件

IGBT整(zheng)流器早(zao)期不(bu)宜(yi)采(cai)用(yong)(yong)預(yu)防維修(xiu)方式維修(xiu),由(you)于(yu)國(guo)內PHY元件容易老化,可(ke)靠性不(bu)高。但(dan)九十年代高頻IGBT整(zheng)流器采(cai)用(yong)(yong)了一種新型元件,其質(zhi)量高、運行可(ke)靠,并具有完善(shan)的自我保護功能(neng)且自動化程度高。如(ru)果仍然采(cai)用(yong)(yong)傳統的預(yu)防維修(xiu)模式,不(bu)僅(jin)找不(bu)到隱(yin)患,還會因為(wei)反復拆除(chu)造成(cheng)一些人為(wei)故障。比如(ru)我們在實際工作(zuo)中(zhong)由(you)于(yu)拆箱造成(cheng)的損壞。


2、應定期(qi)進行數據分析

我們(men)定(ding)期會打印出由IGBT整流(liu)計(ji)算(suan)機(ji)記錄的(de)各種(zhong)信(xin)息。很(hen)容易知道電源本身的(de)歷史數據,比如什么(me)時(shi)候(hou)(hou)發生了中斷(duan),電池什么(me)時(shi)候(hou)(hou)充放電,IGBT整流(liu)器的(de)當前(qian)工作(zuo)狀態等等。通(tong)過對這些數據的(de)分(fen)析,可以(yi)發現一定(ding)的(de)問題,如有必要,及時(shi)對數據進行修改。


3、應安裝防(fang)塵隔離裝置(zhi)

我們都知道機房內無粉塵隔離裝置,房內粉塵含量會非常高。由于IGBT整流器是風對流冷卻,氣流勢必會帶來粉塵進入設備,而IGBT整流器不應過度清潔、清洗。長此以往隨著粉塵積聚越來越多勢必會引起短路漏電,出現故障的情況。我單位曾經有一個整流模塊投入運行不到6個月就發生了自動關機。技術人員進行檢查,打開后發現內電子元件幾乎堆滿了粉塵,從而確是粉塵造(zao)成短路。近年來,隨著環境的惡化,粉塵污染也成為主要污染源之一。一個2000A的模塊價值七八百萬,一個機房粉塵隔離裝置大約要八千美元。因此,無論是從經濟的角度還是從可靠性的角度來看,安裝防塵隔離裝置都是必要的,有條件的還應配備空調設備。

4、及時實施集中監控

隨著通信設備的擴充,IGBT整流設備分布越來越廣,需要維護的人員也就越來越多。想要解決這一矛盾的一個重要途徑是實行集中監控。實集中監控可以根據現有條件進行,不必強行一步到位。實集中監控不僅提高了效率,也解決了故障處的及時性,還可減少了備件的數量,實際非常值得推廣。


IGBT整(zheng)流(liu)器(qi)(qi)的(de)實(shi)際應用(yong)與行(xing)業相關(guan),不同功能的(de)下游(you)應用(yong),由于其電(dian)子產(chan)品(pin)和電(dian)路(lu)設(she)計不一(yi)樣,所(suo)以使(shi)用(yong)的(de)整(zheng)流(liu)器(qi)(qi)規格也不一(yi)樣。整(zheng)流(liu)器(qi)(qi)廠家需(xu)要(yao)密切關(guan)注電(dian)子產(chan)品(pin)的(de)下游(you)應用(yong)和技術發(fa)展,如:光、短、高頻、高壓、大電(dian)流(liu)、瞬時反(fan)應等,作(zuo)為同步研(yan)究產(chan)品(pin)開(kai)發(fa)設(she)計和生產(chan)的(de)參考。


生(sheng)產(chan)IGBT整流(liu)(liu)器(qi)產(chan)品,包括PN junction-based開關二(er)極管(guan)(guan)(guan)、快恢復二(er)極管(guan)(guan)(guan),標準(zhun)恢復二(er)極管(guan)(guan)(guan),橋反應堆,穩壓管(guan)(guan)(guan),瞬變電壓抑制(zhi)電視,和所(suo)謂的(de)晶閘管(guan)(guan)(guan)瞬態浪涌(yong)保護組件TSPD此(ci)外(wai),使用肖特基二(er)極管(guan)(guan)(guan)和場效應晶體管(guan)(guan)(guan)的(de)使用技術發達(da)的(de)整流(liu)(liu)器(qi),稱為SBR(超級屏障整流(liu)(liu)器(qi))等(deng)等(deng)。


專(zhuan)家進一(yi)步(bu)指出,SBR的(de)正向壓降比肖(xiao)特(te)基(ji)低,反向漏(lou)電流(liu)(liu)(liu)比肖(xiao)特(te)基(ji)小,結合了肖(xiao)特(te)基(ji)和開關(guan)(guan)二(er)極管的(de)優點。采用SBR技(ji)術(shu)的(de)超薄封裝(zhuang),這(zhe)樣的(de)產(chan)(chan)品可以(yi)滿足客戶對小尺寸(cun)、高(gao)電流(liu)(liu)(liu)密(mi)(mi)度的(de)要求。他(ta)強調,在光伏行業(ye),SBR產(chan)(chan)品可以(yi)滿足結溫200℃的(de)要求,且漏(lou)電流(liu)(liu)(liu)非(fei)常小。此外(wai)(wai),在PN結開關(guan)(guan)二(er)極管和肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極管IGBT整流(liu)(liu)(liu)器(qi)部分產(chan)(chan)品的(de)外(wai)(wai)觀具有體積小和電流(liu)(liu)(liu)密(mi)(mi)度大的(de)特(te)點,專(zhuan)家表示(shi),PowerDI封裝(zhuang)技(ji)術(shu)可以(yi)大大提高(gao)電流(liu)(liu)(liu)密(mi)(mi)度。



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